IBM и Samsung анонсировали полупроводниковую революцию

IBM и Samsung анонсировали полупроводниковую революцию

Меняя ориентацию транзистора на полупроводнике, компании рассчитывают уменьшить их энергопотребление на 85%.

Инженеры IBM и Samsung Electronics разработали так называемые полупроводники нетрадиционной архитектуры, которые обещают сокращение энергопотребления на 85% по сравнению с существующими чипами.

Новая структура сулит массу перспективных приложений, решающих в том числе и задачи энергоэффективной добычи криптовалюты и шифрования данных. Сотовые телефоны будут работать от батареи без подзарядки более недели, а не день-два, как это происходит сейчас.

Новые полупроводники могут найти применение в устройствах Интернета вещей и устройствах, подключаемых к оконечным узлам сети. Уменьшение энергопотребления позволит использовать их в самых разных средах: в океанских буях, автономных автомобилях и космических кораблях.

Транзисторы VTFET (vertical-transport field effect transistors) располагаются перпендикулярно поверхности чипа с вертикальным (восходящим и нисходящим) током. В блоге Брента Андерсона, архитектора и программного менеджера VTFET, и Хеманта Джаганнатана, аппаратного технолога и главного исследователя VTFET, указывается, что при использовании обычной технологии микросхем транзисторы размещаются параллельно плоскости полупроводника, а электрический ток течет в боковом направлении (от одного его края к другому).

«Процесс VTFET устраняет множество барьеров и ограничений на пути роста производительности, расширяя действие закона Мура в условиях, когда конструкторы микросхем стремятся разместить в фиксированном пространстве как можно больше транзисторов, – отмечают исследователи. – Это влияет и на точки контакта транзисторов, позволяя передавать больший ток с меньшими потерями энергии».

Технология VTFET снижает барьеры масштабирования, ослабляя физические ограничения, накладываемые на длину затвора, толщину разделителя и размер контакта, благодаря чему все эти параметры можно оптимизировать с целью увеличения производительности или сокращения энергопотребления.

«Закон Мура, согласно которому количество транзисторов интегральных схем удваивается через каждые два года, неуклонно приближается к непреодолимому барьеру, – считают исследователи. – По мере того, как в ограниченной области размещается все больше и больше транзиторов, инженеры начинают испытывать дефицит пространства. А инновационное решение VTFET открывает новое измерение, благодаря которому у закона Мура появляется шанс продлить свое действие».

В компании Intel также заявили, что вертикальная ориентация чипов открывает путь к дальнейшему совершенствованию электронных компонентов в соответствии с законом Мура.

Источник

Vip-Xrust.ru - Информационный Хруст мозга
Vip-Xrust.ru - Охватывает своим вниманием все актуальные на сегодняшний день вопросы и интересы современного человека.
Для удобства пользователей на главной странице издания есть разделы по интересам для разных категорий читателей, например если Вы девушка, то нажимая соответствующий заголовок можно перейти на актуальные темы для девушек, если парень, то соответственно на обсуждение мужских вопросов. Своим вниманием сайт охватывает и интересно подает обсуждаемые в интернет пространстве темы и вопросы-новости о известных людях, о крупных событиях в мире, рассказывает о новейших технологиях, дает хороший и подробное обозрение вышедших в прокат новинок кино, делает обзоры на новые игры. Очень много внимания уделено спорту и здоровью молодежи-полезная информация о проблемах со здоровьем и как их избежать, приводятся различные упражнения для поддержания красоты тела, рецепты здорового и полезного,а главное вкусного питания.Так же публикуются интересные научные открытия и гипотезы.
Вся информация тщательно отобрана и подается легко и понятно,с учетом всех информационных потребностей человека? это, сайт для нас любимых и избранных пользователей.
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Vip-Xrust.ru